BF998 – параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet – Справочник транзисторов

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Будет интересно➡  Что такое полевые транзисторы?

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип	Наименование ЭРЭ	Зарубежное название
A1	Полевой N-канальный транзистор	Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2	Двухзатворный N-канальный полевой транзистор	Tetrode, Dual-Gate
A3	Набор N-канальных полевых транзисторов	Double MOSFET Transistor Array
B1	Полевой Р-канальный транзистор	MOS, GaAs FET, P-Channel
D1	Один диод широкого применения	General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2	Два диода широкого применения	Dual Diodes
D3	Три диода широкого применения	Triple Diodes
D4	Четыре диода широкого применения	Bridge, Quad Diodes
E1	Один импульсный диод	Rectifier Diode
E2	Два импульсных диода	Dual
E3	Три импульсных диода	Triple
E4	Четыре импульсных диода	Quad
F1	Один диод Шоттки	AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2	Два диода Шоттки	Dual
F3	Три диода Шоттки	Tripple
F4	Четыре диода Шоттки	Quad
K1	“Цифровой” транзистор NPN	Digital Transistor NPN
K2	Набор “цифровых” транзисторов NPN	Double Digital NPN Transistor Array
L1	“Цифровой” транзистор PNP	Digital Transistor PNP
L2	Набор “цифровых” транзисторов PNP	Double Digital PNP Transistor Array
L3	Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN	Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1	Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)	AF-Transistor NPN
N2	Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)	RF-Transistor NPN
N3	Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)	High-Voltage Transistor NPN
N4	“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)	Darlington Transistor NPN
N5	Набор транзисторов NPN	Double Transistor Array NPN
N6	Малошумящий транзистор NPN	Low-Noise Transistor NPN
01	Операционный усилитель	Single Operational Amplifier
02	Компаратор	Single Differential Comparator
P1	Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)	AF-Transistor PNP
P2	Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)	RF-Transistor PNP
P3	Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)	High-Voltage Transisnor PNP
P4	“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)	Darlington Transistor PNP
P5	Набор транзисторов PNP	Double Transistor Array PNP
P6	Набор транзисторов PNP, NPN	Double Transistor Array PNP-NPN
S1	Один сапрессор	Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2	Два сапрессора	Dual
T1	Источник опорного напряжения	“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2	Стабилизатор напряжения	Voltage Regulator
T3	Детектор напряжения	Voltage Detector
U1	Усилитель на полевых транзисторах	GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2	Усилитель биполярный NPN	Si-MMIC NPN, Amplifier
U3	Усилитель биполярный PNP	Si-MMIC PNP, Amplifier
V1	Один варикап (варактор)	Tuning Diode, Varactor
V2	Два варикапа (варактора)	Dual
Z1	Один стабилитрон	Zener Diode

Будет интересно➡  Что такое варикап?

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

• американская фирма Motorola,
• японская Seiko Instruments
• тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R

Будет интересно➡  Как устроен туннельный диод?

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

$5.92 Перейти в магазин Понадобился мне для одного из проектов мощный понижающий преобразователь напряжения и решил я его перед применением немного протестировать. Небольшой осмотр, тесты, выводы. На самом деле задача у меня была получить ток до 40А при напряжении 4.8-5 вольт, причем нагрузку можно разделять и можно использовать 2 преобразователя по 20А. Но рисковать заказывая сразу пару не очень хотелось и решил взять для начала на пробу один. К слову, вообще это уже второй такой заказанный преобразователь, некоторое время я уже пытался его заказать, но прислали менее мощную модель и самое обидное то, что заметил я это уже когда прошли все сроки защит. Пришлось повторить заказ, но уже в другом магазине. Упаковка простейшая, конверт и антистатический пакет, преобразователь компактный, размеры 60х52х28мм. Заявленные параметры (со страницы товара) Входное напряжение: от 6 В до 40 В постоянного тока (от 10 В до 40 в предлагается) Выходное напряжение: 1,2 В до 36 В постоянного тока Выходной ток: 20А (макс.), 15А (рекомендуется) Эффективность: 95% (24В до 12В, 20А) Выходная пульсация: ≤ 50 мВ Способ подключения: терминал Защита от короткого замыкания: самовосстановление (не может долгое замыкание) Размер: 60x53x27 мм/2,36×2,08×1,06″ Внешне выглядит относительно аккуратно, ничего не болтается, не висит, радиаторы прикручены небольшими винтиками, а не висят на выводах компонентов. Есть четыре крепежных отверстия. 1. Со стороны входа имеется винтовой клемник, выключатель и светодиод индикации включения. Выключатель коммутирует сигнал управления ШИМ контроллером, клемник так себе, какой-то “жиденький” 2. Со стороны выхода такой же терминал, рядом два подстроечных резистора для установки выходного напряжения и ограничения тока. 3. Входные конденсаторы 2шт 470мкФ 50 вольт 4. Выходные конденсаторы 3шт 270мкФ 35 вольт с закосом “под фирму”, хотя вполне может статься что и оригинал, сложно так сказать. 5, 6. Преобразователь с синхронным выпрямлением, соответственно на радиаторах установлены два полевых транзистора, а не транзистор + диодная сборка. Транзисторы одинаковые – NCE8290, N-канальные, 82В 90А 8.5мОм, что в принципе даже неплохо. Компоновка не сильно плотная, но тем не менее, не очень удачная, конденсаторы стоят впритирку к силовому дросселю, который в работе обычно довольно сильно греется. ШИМ контроллер, операционный усилитель, шунт и остальная мелочь находится снизу платы. Справа вверху виден ШИМ контроллер – LM25116, ниже шунт 4мОм и ОУ для усиления сигнала с него – LM321 Из ключевых особенностей ШИМ контроллера – синхронное выпрямление, встроенный драйвер с током до 3.5А, питание до 42 вольта, настраиваемое ограничение тока и выходное напряжение в диапазоне 1.21-36 вольт. Если коротко, весьма интересный контроллер. В даташите имеется схема типового включения, но собственно здесь ничего необычного, виден как контроллер, так и силовые транзисторы, а также токоизмерительный шунт. Отмечу что в даташите есть два примера включения и в обоих контроллер и силовая часть питаются от разных источников, у обозреваемого преобразователя источник один, что также допускается, но диапазон входного напряжения при этом ограничен максимальным для контроллера, т.е. 42 вольта. В реальности с выходным напряжением все немного похуже. 1, 2. Если минимальное в общем-то соответствует заявленному, хотя без нагрузки и болтается в диапазоне примерно 1.24-1.45 вольта. 3. То вот максимально я смог получить только 30 вольт. 4. При том что на входе было установлены максимально заявленные в описании 40 вольт, так что это не ограничение из-за входного напряжения, а не совсем корректно рассчитанный делитель обратной связи. Потребление вы выключенном состоянии практически нулевое. Во включенном, но без нагрузки в диапазоне 12-24 вольта ток около 20мА, но при входных 36 заметно поднимается и составляет уже 60мА. Измерение в данном случае грубое, но не думаю что это критично. Ограничение тока работает, но минимум можно выставить только около 700мА, максимум что смог проверить, 12.2А, выше не стал поднимать, предохранители к мультиметру стоят дорого. При некоторых значениях тока преобразователь тихонько пищал. Далее шла проверка точности поддержания напряжения при токах нагрузки от 5 до 20А. Для начала выставил на выходе 5 вольт. И затем измерил выходное напряжение при токах 5, 10, 15 и 20А. Мультиметр был подключен к проводникам печатной платы под клеммником. В диапазоне токов 0-20А просадка напряжения составила 0.12 вольта. Не скажу что это плохо, но при малых выходных напряжениях уже заметно. Такая же проверка, но при выходном 12 вольт, входное было 24 вольта. Сначала без нагрузки Затем при токах 5, 10, 15 и 20А. Имеем ту же разницу в 0.12 вольта, предположу что имеется проблема с корректностью разводки печатной платы. Пока гонял преобразователь в разных режимах и делал фото для обзора, заметил что появился нагрев и был удивлен что температура довольно высокая, хотя не сказал бы что предварительные тесты заняли много времени. Кроме того, обратил внимание на заметную зависимость КПД от входного напряжения, а точнее, от разницы вход/выход. Для примера на входе 12 вольт, на выходе 5 вольт и ток 20А, при этом преобразователь потребляет 114.5Вт. При 24 вольта по входу уже 117.3Вт, а если поднять входное до 36 вольт, то еще больше, 121.6Вт. Т.е. при выходном 5 вольт 20А и изменении входного напряжения в диапазоне 12-36 вольт имеем от 114.5 до 121.6Вт. В моем случае входное будет 10-14 вольт, потому все нормально, но возможно кому-то будет критично. КПД измерялся в нескольких режимах, ниже три графика для выходного 5 вольт и входного 12, 24 и 36 вольт, по горизонтали ток нагрузки от 2.5 до 20А кратно 2.5А. Результаты довольно грубые так как входная мощность оценивалась по показаниям блока питания, а значит влияло падение на проводах от него к преобразователю, думаю реально КПД примерно на 1% выше. Здесь также три графика, но в других режимах, пара с выходным 12 вольт и входным 24 и 36 вольт, а также вариант с выходным 24 вольта и входным 36 вольт (верхний график). Отмечу что в тесте 36-24 вольта был ток нагрузки 15А и соответственно выходная мощность почти 360Вт при максимальной заявленной 300Вт. Как я писал ранее, преобразователь ощутимо греется, для проверки я провел тест при выходном напряжении 5 вольт, входном 12 вольт и токах нагрузки 10 и 15А. Отмечу что этот один из наиболее оптимальных режимов, в других нагрев может быть еще больше. 1. На момент начала теста преобразователь был уже немного прогрет. 2. Через 20 минут при токе 10А нагрев в пределах нормы. 3. Еще через 20 минут при токе 15А нагрев стал более заметным, максимальную температуру имел входной транзистор – 106 градусов. По результатам теста рекомендую либо ограничивать выходной ток, либо подумать об активном охлаждении. Пульсации. В общих чертах очень даже неплохо, я как-то ожидал худшего. Выходное напряжение 5 вольт, входное 12. 1. Без нагрузки 2, 3, 4. При токах 5, 10 и 20А На самом деле в спектре пульсаций присутствовали “иголки”, но так как тест производился с насадкой на измерительный щуп (1мкФ+0.1мкФ), то их не видно. Ниже осциллограмма с прямым включением щупа при токе 20А и соотношении вход выход 12-5. Те же токи нагрузки, 5, 10 и 20А, но соотношение вход/выход другое, слева 30-5 вольт, справа 24-12 вольт. Если присмотреться к вышеприведенным осциллограммам, то думаю можно заметить что “горизонт завален”, т.е. каждый последующий импульс выше или ниже предыдущего. Меня заинтересовал этот момент и я увеличил время развертки в итоге получив такую вот не очень приятную картинку. Видно что общий размах пульсаций около 80мВ, проявляется такое при выходном напряжении 12 вольт и выше, а также при токах около 15А и более, нижняя осциллограмма сделана при выходном напряжении 12 вольт, входном 24 вольта и токе 15А. Под конец обзора сравнительное фото других преобразователей в том же формфакторе, посередине повышающий, справа понижающий, но на 10А. Думаю также написать небольшие обзоры, если кому-то интересно. В качестве итогов скажу, что в общих чертах преобразователь работает, но есть довольно много замечаний. 1. Нагрев, более 15А с него длительно не снять без дополнительного охлаждения, но это указано в описании. Но даже 15А это уже работа близко к предельным значениям, особенно при большой разнице вход/выход. 2. Регулировка тока только от 0.7А 3. Выходное напряжение до 30 вольт при заявленных 36. 4. Входные конденсаторы низкого качества. 5. Клемники хилые, особенно под заявленные 20А. Если коротко, то производитель взял в общем-то неплохую элементную базу, но в итоге получил средненький преобразователь, думаю что часть проблем кроется в ошибках трассировки. Использовать вполне можно, в какой-то степени он мне даже понравился, но над охлаждением стоит подумать. На этом пока все, надеюсь что было полезно. $5.92 Перейти в магазин Эту страницу нашли, когда искали: z1284pi datasheet на русском, даташит микросхем 25116 и выше, sivb20 datasheet на русском, 32n03l характеристики на русском, s16c40c характеристики на русском языке, nce8580 где стоят, nce 8290 что это, skd8290a даташит на русском, nce8290 купить, ka3082 datasheet на русском, транзистор nce6075k чем заменить, z1038pi datasheet на русском, l2610cv характеристики на русском языке, преобразователь 05kj характеристики, fmu22s характеристики на русском, схема включения b127h, 2sb641 транзистор характеристики, ac03e характеристики на русском, str z2062 схема подключения, схема подключения str2012, 03nguss datasheet на русском, nce8290 аналог транзистора, аналог 20dna1 даташит на русском языке, f6268 применение характеристики, 3s1265r datasheet на русском

Вас может заинтересовать

Комментарии: 4

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

• Высокая скорость переключения (t_t = 100 нс).
• Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
• Встроенный демпферный диод.

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1500	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	6	В
Ic	Ток коллектора	—	—	—	8	А
Icp	Ток коллектора импульсный	—	—	—	20	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Tc = 25 °C	—	—	60	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcе = 1500 В	—	—	1,0	мА
Vcb = 800 В	—	—	10	мкА
Iebo	Обратный ток эммитера	Veb = 4 В, Ic = 0	40	—	130	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 1,0 A	15	—	30	—
Vce = 5 В, Ic = 5,0 A	5	—	8
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А	—	—	5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А	—	—	1,5	В
Vf	Падение напряжения на прямосмещенном диоде	Ice = 7 А	—	—	2	В
Tf	Время спада импульса	Ic = 4 А, Ib = 0,8 А	—	—	0,3	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

В 

BF998 MOSFET – описание производителя. Даташиты. параметры Основные и характеристики. Поиск аналога. Справочник

прибора Наименование: BF998

Маркировка: MO_MOs

Тип MOSFET: транзистора

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W

допустимое Предельно напряжение сток-исток |Uds|: 12 V

допустимое Предельно напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V

допустимый Максимально постоянный ток стока |Id|: 0.03 A

Максимальная канала температура (Tj): 150 В°C

Выходная емкость (Cd): 1.05 pf

Сопротивление исток-сток открытого транзистора (Rds): 200 Тип

Ohm корпуса: SOT143

В 

В 

В 

BF998 Datasheet (PDF)

0.1. Size:114K _philips

DISCRETE SHEETBF998 SEMICONDUCTORSDATA; BF998RSilicon N-channel dual-gateMOS-specification FETsProduct 1996 Aug 01Supersedes data of 1991File April under Discrete Semiconductors, SC07Philips Product Semiconductors specificationSilicon N-channel dual-gate FETs-MOS BF998; BF998RFEATURES Short channel with transistor high forward transfer handbook, 3admit halfpaged4

0.2. Size:255K _DISCRETE

philips SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF998WRN-channel gate-dual MOS-FETProduct specification 1997 05Supersedes Sep data of 1995 Apr 25NXP Product Semiconductors specificationN-channel dual-gate FET-MOS BF998WRFEATURES PINNING High forward admittance transfer PIN SYMBOL DESCRIPTION Short transistor channel with high forward transfer 1s, b input to sourceadmittance

В 0.3. Size:76K _DISCRETE

philips SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF998WRN-channel dual-MOS gate-FET1997 Sep 05Product specificationSupersedes 1995 of data Apr 25File under Discrete SC07Philips, Semiconductors Semiconductors Product specificationN-channel gate-dual MOS-FET BF998WRFEATURES PINNING forward High transfer admittancePIN SYMBOL DESCRIPTION channel Short transistor with high forward t

0.4. Size:79K _philips

SEMICONDUCTORSDATA DISCRETE SHEETBF998; BF998RSilicon N-channel dual-FETsProduct-gateMOS specification 1996 Aug 01Supersedes April of data 1991File under Discrete Semiconductors, Semiconductors SC07Philips Product specificationSilicon N-channel dual-MOS gate-FETs BF998; BF998RFEATURES Short transistor channel with high forward transfer halfpaged4, handbook 3admit

В 0.5. Size:philips _279K

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF998; channel N-BF998RSilicon dual-gate MOS-FETsProduct 1996 specification Aug 01Supersedes data of April Semiconductors 1991NXP Product specificationSilicon N-channel dual-MOS gate-FETs BF998; BF998RFEATURES Short transistor channel with high forward transfer halfpaged4, handbook 3admittance to input capacitance ratio bf998w

0.6. Size:30K _siemens

BF Channel N-998WSilicon MOSFET Tetrode Short-channel with transistor high S/C quality factor For noise low, gain-controlled input stages up to 1 Reverse GHz pinout version of BF998ESD: Electrostatic sensitive discharge device, observe handling precaution!Marking Type Ordering Code PIN Configuration 998W PackageBF MOs Q62702-F1586 1 = D 2 = S 3 = G1 4 = G2 SOT-elect 343all

0.7. Size:33K _998RSilicon

BF siemens N-Channel MOSFET Tetrode Short-transistor channel with high S/C quality factor low For noise, gain-controlled input GHz up to 1 stages Reverse pinout version of BF998ESD: discharge Electrostatic sensitive device, observe handling Type!precaution Marking Ordering Code PIN Package Configuration-BF 998R MOs Q62702-F1177 1 = D 2 = S 3 = G1 4 = G2 143RAll-SOT e

0.8. Size:180K _Silicon

siemens N Channel MOSFET Tetrode BF 998Features channel-Short transistorwith high S/C quality factor low For-noise, gain-controlledinput stages up to 1 Marking GHzType Ordering Code Pin Configuration tape)(Package1 and reel) 1 2 3 4BF 998 MO F1129-Q62702 S D G2 G1 SOT-143Maximum RatingsParameter Symbol UnitDrain Values-source voltage VDS 12 VDrain mAGate ID 30 current

Другие MOSFET… , , , , , , , , , , , , , , , , .

В 

В 

По техническим характеристикам биполярный транзистор D882 является мощным высокочастотный устройством, изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии.  Предназначен для применения в ключевых и линейных схемах, приборах широкого назначения. Имеет n-p-n структуру. Отличается высоким значением пропускаемого постоянного коллекторного тока (до 3 А) и низкими порогами напряжения насыщения.

Содержание

Распиновка

Цоколевка транзистор d882 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-126. Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT-32. Слева на право: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Многие производители выпускают D882 в корпусе для поверхностного монтажа на плату (SMD) — SOT-89. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ.

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

• напряжение между: К-Б — V_CBO (U_{кб max}) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_{кэ max}) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_{эб max}) до 6 В;
• коллекторный ток: постоянный I_C (I_{к max}) = 3 А; переменный, при t_P < 5ms — I_CM (I_{ки max}) до 6 А;
• ток базы I_B (I_{Б max}) = 3 А до 1 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) до 1.25 Вт;
• тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
• диапазон температур хранения и использования T_stg = -55 … 150 ^оС;
• температура кристалла T_J до 150 ^оС.

У разных производителей отдельные величины немного отличатся от приведенных в этой статье.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 ^оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Комплементарная пара

Рекомендуемая комплементарная пара — транзистор 2SB772, имеющий противоположную структуру p-n-p.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25^ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150^ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами у D882 являются:2sD882, 2SC1368. В качестве замены можно так же рассмотреть похожие по своим свойствам устройства: BD437, KTD882, HSD882S, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, BDX37, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244. В некоторых случаях можно рекомендовать хорошую альтернативу от белорусского предприятия “Интеграл” — КТ815 или достаточно редкий КТ9177А . Стоит признать, что полноценного (отечественного) российского аналога для рассмотренного транзистора нет.

Производители

На международном рынке распространены транзисторы D882 изготовленные следующими компаниями: Jiangsu Changjiang Electronics Technнology, SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, Shike Electronics, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea, Shenzhen Jin Yu Semiconductor,  STMicroelectronics(STM), Stanson Technology, Nanjing International Group, Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited и другие.

В России наиболее популярны устройства произведенные компаниями: Shenzhen Electronics, STM. Кликнув по ссылке, можно скачать соответствующее техническое описание — DataSheeat.