Схема УНЧ с регулятором громкости на микросхеме TDA1013B (4Вт)

Миниатюрный мостовой усилитель с электронным регулятором громкости выполнен на микросхеме TDA1013B. В данном усилителе предусмотрена защита выходного каскада от короткого замыкания, термозащита (отключение при перегреве в результате больших нагрузок), а также защита от бросков напряжения и статических электрических разрядов.

Его можно применять как с электронными регуляторами громкости, так и с обычными потенциометрами.

Номер вывода	Назначение
1	Общий питание
2	Выход
3	Напряжение питания
4	Выход фильтра питания
5	Вход усилителя 2
б	Выход усилителя 1
7	Регулировка усиления
8	Вход
9	Общий сигнальный

Таблица 1. Назначение выводов интегрального усилителя НЧ – микросхемы TDA1013B.

Таблица 2. Основные технические характеристики микросхемы TDA1013B.

Принципиальная схема усилителя

Принципиальная схема усилителя на микросхеме TDA1013B содержит минимум деталей и питается от однополярного источника питания напряжением 10-40В, при этом потребляя ток не более 1,5А.

Рис. 1. Схема включения микросхемы TDA1013B.

Детали и конструкция

Рис. 2. Изображение печатной платы УНЧ на микросхеме TDA1013B.

Рис. 3. Схема расположения элементов на плате УНЧ.

Микросхему желательно закрепить на небольшой радиатор, поскольку при работе она будет выделять некоторое количество тепла. Радиатором может также служить корпус устройства если он изготовлен из металла, печатная плата небольших размеров и сконструирована так что ее можно закрепить в устройстве прикрепив микросхему к шасси или радиатору.

Литература: 

1. Баширов С.Р., Баширов А.С. – Современные интегральные усилители.
2. Даташит на микросхему TDA1013B: Скачать (110 КБ).

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Будет интересно➡  Что такое полевые транзисторы?

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип	Наименование ЭРЭ	Зарубежное название
A1	Полевой N-канальный транзистор	Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2	Двухзатворный N-канальный полевой транзистор	Tetrode, Dual-Gate
A3	Набор N-канальных полевых транзисторов	Double MOSFET Transistor Array
B1	Полевой Р-канальный транзистор	MOS, GaAs FET, P-Channel
D1	Один диод широкого применения	General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2	Два диода широкого применения	Dual Diodes
D3	Три диода широкого применения	Triple Diodes
D4	Четыре диода широкого применения	Bridge, Quad Diodes
E1	Один импульсный диод	Rectifier Diode
E2	Два импульсных диода	Dual
E3	Три импульсных диода	Triple
E4	Четыре импульсных диода	Quad
F1	Один диод Шоттки	AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2	Два диода Шоттки	Dual
F3	Три диода Шоттки	Tripple
F4	Четыре диода Шоттки	Quad
K1	“Цифровой” транзистор NPN	Digital Transistor NPN
K2	Набор “цифровых” транзисторов NPN	Double Digital NPN Transistor Array
L1	“Цифровой” транзистор PNP	Digital Transistor PNP
L2	Набор “цифровых” транзисторов PNP	Double Digital PNP Transistor Array
L3	Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN	Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1	Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)	AF-Transistor NPN
N2	Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)	RF-Transistor NPN
N3	Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)	High-Voltage Transistor NPN
N4	“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)	Darlington Transistor NPN
N5	Набор транзисторов NPN	Double Transistor Array NPN
N6	Малошумящий транзистор NPN	Low-Noise Transistor NPN
01	Операционный усилитель	Single Operational Amplifier
02	Компаратор	Single Differential Comparator
P1	Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)	AF-Transistor PNP
P2	Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)	RF-Transistor PNP
P3	Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)	High-Voltage Transisnor PNP
P4	“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)	Darlington Transistor PNP
P5	Набор транзисторов PNP	Double Transistor Array PNP
P6	Набор транзисторов PNP, NPN	Double Transistor Array PNP-NPN
S1	Один сапрессор	Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2	Два сапрессора	Dual
T1	Источник опорного напряжения	“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2	Стабилизатор напряжения	Voltage Regulator
T3	Детектор напряжения	Voltage Detector
U1	Усилитель на полевых транзисторах	GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2	Усилитель биполярный NPN	Si-MMIC NPN, Amplifier
U3	Усилитель биполярный PNP	Si-MMIC PNP, Amplifier
V1	Один варикап (варактор)	Tuning Diode, Varactor
V2	Два варикапа (варактора)	Dual
Z1	Один стабилитрон	Zener Diode

Будет интересно➡  Что такое варикап?

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

• американская фирма Motorola,
• японская Seiko Instruments
• тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R

Будет интересно➡  Как устроен туннельный диод?

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

7 шт. из магазина г.Минск 554 шт. со склада г.Москва от 25 шт. — 0.49 BYN Номенклатурный номер: 46411 Артикул: 2SA1013-Y Страна происхождения: ЯПОНИЯ Производитель: Toshiba

Технические параметры

Структура	pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	160…320
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.9
Корпус	to-92
Вес, г	0.4

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

2SA1013-0 datasheet pdf, 191 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Цена и наличие в магазинах

С этим товаром покупают ZD-10D (12-0251) (HT-390,YT80201), Держатель плат “третья рука” с … 21.50 BYN Пинцет прямой 10.50 BYN Pb60Sn40 прв “Massiv” (1.0мм), Припой олово-свинец, катушка 100гр 14 BYN ЛТИ-120 (20 мл) с кисточкой, Флюс (OBSOLETE) 4.40 BYN Мы рекомендуем Конденсаторы керамические выводные многослойные Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Стабилизаторы напряжения и тока Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Транзисторы

В технических характеристиках на транзистор A1015 указано, что это кремниевое биполярное, PNP-структуры устройство. Имея небольшие габариты он способен выдерживать: максимальное напряжения до 50 В, коллекторный ток до 150 мА. У него малый уровень собственных шумов (до 6 дБ) и хорошим коэффициентом усиления (H_FE до 700). Данные свойства позволяют использовать его во многих схемах усилителей низкой частоты (УНЧ).

Он имеет японское происхождение и полную маркировку 2SA1015, согласно стандарта Japanese Industrial Standard (JIS). Но символы «2s» опускаются при его производстве в корпусе ТО-92, из-за банальной нехватки для этого свободного места. А на внешней стоне SMD-исполнения имеется всего две буквы, указывающих на –«BA».

Содержание

Цоколевка

A1015 имеет следующую распиновку. Он выпускаются только в двух стандартных пластмассовых корпусах, имеющих три металлических контакта, с назначением: эмиттер (Э),  коллектор (К), база (Б). ТО-92 — ЭКБ. У SOT-23, в нижней части расположены выводы «Э» и «Б», а сверху «К». Для наглядности представим эти данные на рисунке.

Основные технические параметры

Технические характеристики A1015 указывают на его основное предназначение — усиление сигналов звуковой частоты. Вместе с тем, максимальные эксплуатационные параметры способствуют его применению и в других схемах. Приведем их перечень с допустимыми значениями:

• обратное напряжение между выводами: К-Б (U_{кб max}) -50 В;К-Э (U_{кэ max}) -50 В; Э-Б (U_{эб max}) -5 В;
• постоянный ток: коллектора (I_{к max}) -150 мА; базы -50 мА;
• мощность рассеивания (Р_{к max}) до 400 мВт;
• коэффициент шума (nF) 0.5 … 6 дБ;
• диапазон рабочих температур (T_stg) -65 … 150^ОС.

Для транзисторов PNP-структуры параметры приводятся со знаком «-». Таким образом производители указывают на обратное напряжение на PN-переходе.

Превышение предельно допустимых значений может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

Основными показателями в электрических параметрах A1015, объясняющими их широкое применение в УНЧ, можно назвать: низкий уровень собственных шумов (до 6 дБ) и высоких H_FE до 400. Немаловажную роль играет его способность усиливать низкие частоты до 80 МГц. Рассмотрим их поподробней, для разных режимов измерения, при температуре окружающей среды (T_окр.) до +25^ОС.

Коэффициент усиления H_FE

A1015 подразделяется на три группы коэффициента усиления по току H_FE1. Эти данные указываются в конце маркировки транзистора, иногда прямо на корпусе, и имеют следующие значения для устройств в ТО-92: «О»- 70 … 140; «Y»- 120 … 240; «GR» -200 … 400; «BL»- 350 … 700; для SOT-23: «L»- 130 … 200; «H»- 200 … 400.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары  A1015 производители рекомендуют использовать C1815.

Аналоги

Перечислим полноценные аналоги для A1015. Таковыми являются: 2SA561, 2SA1083, 2SA1152, 2SA564A, 2SA659, 2SA678, 2SA733, 2SA823, 2SA661, 2SA828A, 2SA999, 2SB637, BC558, BC177, BC557,  KTA1015. В российских магазинах можно найти похожий KTA1266 (Korea Electronics). Из отечественных образцов, в качестве замены, можно попробовать: КТ3107Б, КТ502Е.

Производители

Производством транзистора A1015 занимаются многие различных зарубежные компаний: Unisonic Technologies, DC Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SeCoS Halbleitertechnologie, Weitron Technology, Hi-Sincerity Mocroelectronics, MAKO Semiconductor, Daya Electric Group, Willas Electronic, Micro Electronics, Guangdong Hottech Industrial, Shenzhen KOO Chin Electronics, Shike Electronics, Jiangsu High diode, Toshiba, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, Shenzhen SLS Technology. На российском рынке они представлены такими изготовителями: Fairchild Semiconductor, INCHANGE Semiconductor, DC Components.

Вы можете скачать даташит, кликнув по ссылке с наименованием фирмы.

• Электроника

Обнаружили неточность? Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать. Напишите нам Главная → Электронные компоненты → Транзисторы → Транзисторы биполярные → 2SA1013, Транзистор биполярный (PNP 160В 1A TO-92)

Артикул: УТ000152386

Производитель: Fairchild Semiconductor

Изображение служит только для ознакомления, перед покупкой уточняйте точные характеристики в технической документации!

https://oao-sozvezdie.ru

Документация

PDF – документ №1

Другие товары из категории Транзисторы биполярные

Diotec Semiconductor

BC856C, Транзистор биполярный (PNP 65В 0, 1A SOT-23)

В избранное

В избранное 2-4 Дня В избранное

Кремний Эл Группа ЗАО

КТ817В, Биполярный транзистор, NPN, 0 В, 3 А, 25 Вт

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное

Infineon Technologies

IRLIB9343PBF

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное

NXP Semiconductor

PDTA114ET, 215

В избранное

В избранное 2-4 Дня В избранное

Nexperia

PUMH15, 115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0, 1 А, 0, 3 Вт, 230 МГц, 4, 7 кОм+4, 7 кОм

В избранное

В избранное 2-3 Дня В избранное