Схема УНЧ с регулятором громкости на микросхеме TDA1013B (4Вт)

Миниатюрный мостовой усилитель с электронным регулятором громкости выполнен на микросхеме TDA1013B. В данном усилителе предусмотрена защита выходного каскада от короткого замыкания, термозащита (отключение при перегреве в результате больших нагрузок), а также защита от бросков напряжения и статических электрических разрядов.

Его можно применять как с электронными регуляторами громкости, так и с обычными потенциометрами.

Номер вывода Назначение
1 Общий питание
2 Выход
3 Напряжение питания
4 Выход фильтра питания
5 Вход усилителя 2
б Выход усилителя 1
7 Регулировка усиления
8 Вход
9 Общий сигнальный

Таблица 1. Назначение выводов интегрального усилителя НЧ — микросхемы TDA1013B.

image

Таблица 2. Основные технические характеристики микросхемы TDA1013B.

Принципиальная схема усилителя

Принципиальная схема усилителя на микросхеме TDA1013B содержит минимум деталей и питается от однополярного источника питания напряжением 10-40В, при этом потребляя ток не более 1,5А.

image

Рис. 1. Схема включения микросхемы TDA1013B.

Детали и конструкция

Рис. 2. Изображение печатной платы УНЧ на микросхеме TDA1013B.

Рис. 3. Схема расположения элементов на плате УНЧ.

Микросхему желательно закрепить на небольшой радиатор, поскольку при работе она будет выделять некоторое количество тепла. Радиатором может также служить корпус устройства если он изготовлен из металла, печатная плата небольших размеров и сконструирована так что ее можно закрепить в устройстве прикрепив микросхему к шасси или радиатору.

Литература: 

  1. Баширов С.Р., Баширов А.С. — Современные интегральные усилители.
  2. Даташит на микросхему TDA1013B: Скачать (110 КБ).

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код Сопротивление
101 100 Ом
471 470 Ом
102 1 кОм
122 1.2 кОм
103 10 кОм
123 12 кОм
104 100 кОм
124 120 кОм
474 470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Будет интересно➡  Что такое полевые транзисторы?

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип Наименование ЭРЭ Зарубежное название
A1 Полевой N-канальный транзистор Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2 Двухзатворный N-канальный полевой транзистор Tetrode, Dual-Gate
A3 Набор N-канальных полевых транзисторов Double MOSFET Transistor Array
B1 Полевой Р-канальный транзистор MOS, GaAs FET, P-Channel
D1 Один диод широкого применения General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2 Два диода широкого применения Dual Diodes
D3 Три диода широкого применения Triple Diodes
D4 Четыре диода широкого применения Bridge, Quad Diodes
E1 Один импульсный диод Rectifier Diode
E2 Два импульсных диода Dual
E3 Три импульсных диода Triple
E4 Четыре импульсных диода Quad
F1 Один диод Шоттки AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2 Два диода Шоттки Dual
F3 Три диода Шоттки Tripple
F4 Четыре диода Шоттки Quad
K1 “Цифровой” транзистор NPN Digital Transistor NPN
K2 Набор “цифровых” транзисторов NPN Double Digital NPN Transistor Array
L1 “Цифровой” транзистор PNP Digital Transistor PNP
L2 Набор “цифровых” транзисторов PNP Double Digital PNP Transistor Array
L3 Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1 Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) AF-Transistor NPN
N2 Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) RF-Transistor NPN
N3 Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) High-Voltage Transistor NPN
N4 “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) Darlington Transistor NPN
N5 Набор транзисторов NPN Double Transistor Array NPN
N6 Малошумящий транзистор NPN Low-Noise Transistor NPN
01 Операционный усилитель Single Operational Amplifier
02 Компаратор Single Differential Comparator
P1 Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) AF-Transistor PNP
P2 Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) RF-Transistor PNP
P3 Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) High-Voltage Transisnor PNP
P4 “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) Darlington Transistor PNP
P5 Набор транзисторов PNP Double Transistor Array PNP
P6 Набор транзисторов PNP, NPN Double Transistor Array PNP-NPN
S1 Один сапрессор Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2 Два сапрессора Dual
T1 Источник опорного напряжения “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2 Стабилизатор напряжения Voltage Regulator
T3 Детектор напряжения Voltage Detector
U1 Усилитель на полевых транзисторах GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2 Усилитель биполярный NPN Si-MMIC NPN, Amplifier
U3 Усилитель биполярный PNP Si-MMIC PNP, Amplifier
V1 Один варикап (варактор) Tuning Diode, Varactor
V2 Два варикапа (варактора) Dual
Z1 Один стабилитрон Zener Diode

Будет интересно➡  Что такое варикап?

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
Код Тип ЭРЭ Фирма Рис. Код Тип ЭРЭ Фирма Рис.
7E MUN5215DW1T1 K2 MO 2Q
11 MUN5311DW1T1 L3 MO 2Q 7F MUN5216DW1T1 K2 MO 2Q
12 MUN5312DW1T1 L3 MO 2Q 7G MUN5230DW1T1 K2 MO 2Q
12 INA-12063 U2 HP 2Q 7H MUN5231DW1T1 K2 MO 2Q
13 MUN5313DW1T1 L3 MO 2Q 7J MUN5232DW1T1 K2 MO 2Q
14 MUN5314DW1T1 L3 MO 2Q 7K MUN5233DW1T1 K2 MO 2Q
15 MUN5315DW1T1 L3 MO 2Q 7L MUN5234DW1T1 K2 MO 2Q
16 MUN5316DW1T1 L3 MO 2Q 7M MUN5235DW1T1 K2 MO 2Q
BC847S N5 SI 2Q 81 MGA-81563 U1 HP 2Q
1P BC847PN P6 SI 2Q 82 INA-82563 U1 HP 2Q
31 MUN5331DW1T1 L3 MO 2Q 86 INA-86563 U1 HP 2Q
32 MUN5332DW1T1 L3 MO 2Q 87 INA-87563 U1 HP 2Q
33 MUN5333DW1T1 L3 MO 2Q 91 IAM-91563 U1 HP 2Q
34 MUN5334DW1T1 L3 MO 2Q A2 MBT3906DW1T1 P5 MO 2Q
35 MUN5335DW1T1 L3 MO 2Q A3 MBT3906DW9T1 P5 MO 2Q
36 ATF-36163 A1 HP 2Q A4 BAV70S E4 SI 2Q
3C BC857S P5 SI 2Q E6 MDC5001T1 U3 MO 2Q
3X MUN5330DW1T1 L3 MO 2Q H5 MBD770DWT1 F2 MO 2Q
46 MBT3946DW1T1 P6 MO 2Q II AT-32063 N2 HP 2Q
51 INA-51063 U2 HP 2Q M1 CMY200 U1 SI 2R
52 INA-52063 U2 HP 2Q M4 MBD110DWT1 F2 MO Q
54 INA-54063 U2 HP 2Q M6 MBF4416DW1T1 A3 MO 2Q
6A MUN5111DW1T1 L2 MO 2Q MA MBT3904DW1T1 N5 MO 2Q
6B MUN5112DW1T1 L2 MO 2Q MB MBT3904DW9T1 N5 MO 2Q
6C MUN5113DW1T1 L2 MO 2Q MC BFS17S N5 SI 2Q
6D MBF5457DW1T1 A3 MO 2Q RE BFS480 N5 SI 2Q
6D MUN5114DW1T1 L2 MO 2Q RF BFS481 N5 SI 2Q
6E MUN5115DW1T1 L2 MO 2Q RG BFS482 N5 SI 2Q
6F MUN5116DW1T1 L2 MO 2Q RH BFS483 N5 SI 2Q
6G MUN5130DW1T1 L2 MO 2Q T4 MBD330DWT1 F2 MO 2Q
6H MUN5131DW1T1 L2 MO 2Q W1 BCR10PN L3 SI 2Q
6J MUN5132DW1T1 L2 MO 2Q WC BCR133S K2 SI 2Q
6K MUN5133DW1T1 L2 MO 2Q WF BCR08PN L3 SI 2Q
6L MUN5134DW1T1 L2 MO 2Q WK BCR119S K2 SI 2Q
6M MUN5135DW1T1 L2 MO 2Q WM BCR183S K2 SI 2Q
7A MUN5211DW1T1 K2 MO 2Q WP BCR22PN L3 SI 2Q
7B MUN5212DW1T1 K2 MO 2Q Y2 CLY2 A1 SI 2R
7C MUN5213DW1T1 K2 MO 2Q 6s CGY60 U1 SI 2R
7D MUN5214DW1T1 K2 MO 2Q Y7s CGY62 U1 SI 2R

Будет интересно➡  Как устроен туннельный диод?

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

7 шт. из магазина г.Минск 554 шт. со склада г.Москва от 25 шт.0.49 BYN Номенклатурный номер: 46411 Артикул: 2SA1013-Y Страна происхождения: ЯПОНИЯ Производитель: Toshiba

Технические параметры

Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 160…320
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.9
Корпус to-92
Вес, г 0.4

Гарантийный срок

6 месяцев

Техническая документация

2SA1013-0 datasheet pdf, 191 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Цена и наличие в магазинах

С этим товаром покупают ZD-10D (12-0251) (HT-390,YT80201), Держатель плат «третья рука» с … 21.50 BYN Пинцет прямой 10.50 BYN Pb60Sn40 прв «Massiv» (1.0мм), Припой олово-свинец, катушка 100гр 14 BYN ЛТИ-120 (20 мл) с кисточкой, Флюс (OBSOLETE) 4.40 BYN Мы рекомендуем Конденсаторы керамические выводные многослойные Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Стабилизаторы напряжения и тока Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Транзисторы

В технических характеристиках на транзистор A1015 указано, что это кремниевое биполярное, PNP-структуры устройство. Имея небольшие габариты он способен выдерживать: максимальное напряжения до 50 В, коллекторный ток до 150 мА. У него малый уровень собственных шумов (до 6 дБ) и хорошим коэффициентом усиления (HFE до 700). Данные свойства позволяют использовать его во многих схемах усилителей низкой частоты (УНЧ).

Он имеет японское происхождение и полную маркировку 2SA1015, согласно стандарта Japanese Industrial Standard (JIS). Но символы «2s» опускаются при его производстве в корпусе ТО-92, из-за банальной нехватки для этого свободного места. А на внешней стоне SMD-исполнения имеется всего две буквы, указывающих на –«BA».

Содержание

Цоколевка

A1015 имеет следующую распиновку. Он выпускаются только в двух стандартных пластмассовых корпусах, имеющих три металлических контакта, с назначением: эмиттер (Э),  коллектор (К), база (Б). ТО-92 — ЭКБ. У SOT-23, в нижней части расположены выводы «Э» и «Б», а сверху «К». Для наглядности представим эти данные на рисунке.

Основные технические параметры

Технические характеристики A1015 указывают на его основное предназначение — усиление сигналов звуковой частоты. Вместе с тем, максимальные эксплуатационные параметры способствуют его применению и в других схемах. Приведем их перечень с допустимыми значениями:

  • обратное напряжение между выводами: К-Б (Uкб max) -50 В;К-Э (Uкэ max) -50 В; Э-Б (Uэб max) -5 В;
  • постоянный ток: коллектора (Iк max) -150 мА; базы -50 мА;
  • мощность рассеивания (Рк max) до 400 мВт;
  • коэффициент шума (nF) 0.5 … 6 дБ;
  • диапазон рабочих температур (Tstg) -65 … 150ОС.

Для транзисторов PNP-структуры параметры приводятся со знаком «-». Таким образом производители указывают на обратное напряжение на PN-переходе.

Превышение предельно допустимых значений может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

Основными показателями в электрических параметрах A1015, объясняющими их широкое применение в УНЧ, можно назвать: низкий уровень собственных шумов (до 6 дБ) и высоких HFE до 400. Немаловажную роль играет его способность усиливать низкие частоты до 80 МГц. Рассмотрим их поподробней, для разных режимов измерения, при температуре окружающей среды (Tокр.) до +25ОС.

Коэффициент усиления HFE

A1015 подразделяется на три группы коэффициента усиления по току HFE1. Эти данные указываются в конце маркировки транзистора, иногда прямо на корпусе, и имеют следующие значения для устройств в ТО-92: «О»- 70 … 140; «Y»- 120 … 240; «GR» -200 … 400; «BL»- 350 … 700; для SOT-23: «L»- 130 … 200; «H»- 200 … 400.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары  A1015 производители рекомендуют использовать C1815.

Аналоги

Перечислим полноценные аналоги для A1015. Таковыми являются: 2SA561, 2SA1083, 2SA1152, 2SA564A, 2SA659, 2SA678, 2SA733, 2SA823, 2SA661, 2SA828A, 2SA999, 2SB637, BC558, BC177, BC557,  KTA1015. В российских магазинах можно найти похожий KTA1266 (Korea Electronics). Из отечественных образцов, в качестве замены, можно попробовать: КТ3107Б, КТ502Е.

Производители

Производством транзистора A1015 занимаются многие различных зарубежные компаний: Unisonic Technologies, DC Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SeCoS Halbleitertechnologie, Weitron Technology, Hi-Sincerity Mocroelectronics, MAKO Semiconductor, Daya Electric Group, Willas Electronic, Micro Electronics, Guangdong Hottech Industrial, Shenzhen KOO Chin Electronics, Shike Electronics, Jiangsu High diode, Toshiba, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, Shenzhen SLS Technology. На российском рынке они представлены такими изготовителями: Fairchild Semiconductor, INCHANGE Semiconductor, DC Components.

Вы можете скачать даташит, кликнув по ссылке с наименованием фирмы.

  • Электроника

Обнаружили неточность? Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать. Напишите нам Главная Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы биполярные 2SA1013, Транзистор биполярный (PNP 160В 1A TO-92)

Артикул: УТ000152386

Производитель: Fairchild Semiconductor

image Изображение служит только для ознакомления, перед покупкой уточняйте точные характеристики в технической документации!

https://oao-sozvezdie.ru

Документация

PDF — документ №1

Другие товары из категории Транзисторы биполярные

image

Diotec Semiconductor

BC856C, Транзистор биполярный (PNP 65В 0, 1A SOT-23)

В избранное

В избранное 2-4 Дня В избранное image

Кремний Эл Группа ЗАО

КТ817В, Биполярный транзистор, NPN, 0 В, 3 А, 25 Вт

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное image

Infineon Technologies

IRLIB9343PBF

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное image

NXP Semiconductor

PDTA114ET, 215

В избранное

В избранное 2-4 Дня В избранное image

Nexperia

PUMH15, 115, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0, 1 А, 0, 3 Вт, 230 МГц, 4, 7 кОм+4, 7 кОм

В избранное

В избранное 2-3 Дня В избранное

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
А как считаете Вы?
Напишите в комментариях, что вы думаете – согласны
ли со статьей или есть что добавить?
Добавить комментарий