Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

  • Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии
  • Динамический диапазон dv/dt
  • Рабочая температура 175°C
  • Быстрое переключение
  • С полностью нормированными лавинными параметрами
image
Обозначение на схеме
image
Купить IRFZ44N можно здесь.
Цоколевка IRFZ44N

Абсолютные максимальные значения

 Параметр  Макс. Ед. изм.
 ID при TC = 25°C Постоянный ток стока, при VGS=10 В  49 А
  ID при TC = 100°C Постоянный ток стока, при VGS=10 В 35
 IDM Импульсный ток стока (1)  160
 PD при TC = 25°C Рассеиваемая мощность  94 Вт
Линейный коэффициент снижения мощности 0.63 Вт/ °C
 VGS Напряжение затвор-исток  ± 20  В
 IAR  Лавинный ток (1) 25 А
 EAR Повторяющаяся  лавинная энергия (1)  9.4  мДж
 dv/dt Импульс на восстанавливающемся диоде (3)  5.0  В/нс
TJ и TSTG Рабочая температура p-n перехода и температура хранения от -55 до + 175 °C
Температура пайки, до 10 с 300
Момент затяжки болтом М3 1.1 н∙м
Тепловое сопротивление
Параметр Тип. Макс. Ед. изм.
RqJC От кристалла к корпусу 1.5 °C/Вт
RθCS От корпуса к радиатору 0.50
RθJA От кристалла к окружающей среде 62
Электрические характеристики при Tj= 25°C (если не указано иное)
Параметр  Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
 V(BR)DSS  Напряжение пробоя сток-исток  55  —  В VGS = 0 В, ID = 250 мкA
 ∆V(BR)DSS/∆TJ Температурный коэффициент напряжения пробоя  — 0.058 В/°C До 25°C, ID = 1 мA
RDS(on) Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии  — 17.5 мОм VGS = 10 В, ID = 25 A (4)
 VGS(th) Пороговое напряжение на  затворе  2.0  — 4.0 В VDS = VGS, ID = 250 мкA
 gfs Крутизна характеристики 19  —  — S VDS = 25 В, ID = 25 A (4)
 IDSS Ток утечки сток-исток  —  —  25 мкА VDS = 55 В, VGS = 0 В
 — 250 VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C
  IGSS Ток утечки в прямом направлении  —  100 нА VGS = 20 В
 Ток утечки в обратном направлении  — -100 VGS = -20 В
Qg Суммарный заряд затвора 63 нКл ID = 25 A, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Qgs Заряд между затвором и истоком 14
Qgd Заряд между затвором и стоком 23
 td(on) Время задержки включения  — 12 нс VDD = 28 В,  ID = 25, ARG = 12 Ом,  VGS = 10 В (4)
tr Время нарастания 60  —
 td(off) Время задержки выключения  — 44  —
 tf  Время спада 45
LD Внутренняя индуктивность стока 4.5 нГн
LS Внутренняя индуктивность истока 7.5
Ciss Входная емкость 1470 пФ VGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц
Coss Выходная емкость 360
Crss Обратная переходная емкость 88
EAS Энергия единичного лавинного импульса (2) 530 (5) 150 (6) мДж IAS = 25 A, L = 0.47 мГн
Исток — сток значения и характеристики
Параметр Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
IS Постоянный ток истока (Внутренний диод) 49 А В обозначении MOSFET транзистора показан

встроенный обратный p-n переход диода.

ISM Импульсный ток истока (Внутренний диод)(1) 160 А
VSD Прямое напряжение на диоде 1.3 В TJ = 25°C, IS = 25 A, VGS = 0 В (4)
trr Время обратного восстановления 63 95 нс TJ = 25°C, IF = 25 A, di/dt = 100 A/мкс (4)
Qrr Обратное восстановление заряда 170 260 нКл
ton Время включения в прямом направлении Внутреннее время включения незначительно (зависит от суммы индуктивностей LS+LD)
  1. Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена максимальной температурой p-n перехода.
  2. Начальные условия TJ = 25°C, L = 0.48 мГн, RG = 25 Ом, IAS = 25 A.
  3. ISD ≤ 25 A, di/dt ≤ 230 A/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C
  4. Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.
  5. Это типовое значение при разрушении устройства представляет собой работу за пределами номинальных значений.
  6. Эта расчетная величина ограничена температурой TJ = 175°C.
Рис. 1 Типичные выходные характеристики
Рис. 2 Типичные выходные характеристики при температуре p-n перехода 175°C
Рис. 3 Типичные передаточные характеристики

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Параметры транзистора IRFZ44N

  • Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
  • Ток сток-исток при 25 С  Iси (max): 50А
  • Напряжение затвор-исток Uзи  (max): ±20В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
  • Рассеиваемая мощность Pси  (max): 110Вт
  • Крутизна характеристики : 15S
  • Пороговое напряжение на затворе: 4В
  • Корпус: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

Габаритные и установочные размеры транзистора IRFZ44N

Цоколевка транзистора IRFZ44N

Аналог  IRFZ44N

  • HUF75329P3
  • 2SK1879 (ближайший аналог)
  • BUZ102 (ближайший аналог)
  • IRFZ40 (ближайший аналог)
  • STP45NF06 (ближайший аналог)

Datasheet IRFZ44N (68,0 KiB, скачано: 6 901)

Стенд для пайки со светодиодной подсветкой Материал: АБС + металл + акриловые линзы. Светодиодная подсветка… Подробнее

  • Электроника

Обнаружили неточность? Если Вы обнаружили на сайте неточность или столкнулись с проблемой, пожалуйста, дайте нам об этом знать. Напишите нам Главная Электронные компоненты Транзисторы Транзисторы полевые IRFZ44NPBF, Транзистор полевой (N-канал 55В 49А ТО220AB)

Артикул: УТ000074054

Производитель: International Rectifier

Изображение служит только для ознакомления, перед покупкой уточняйте точные характеристики в технической документации!

https://oao-sozvezdie.ru

Документация

PDF – документ №1

Другие товары из категории Транзисторы полевые

ST Microelectronics

STW12NK80Z, Транзистор полевой (N-канал 800В 10, 5А TO247)

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное

ST Microelectronics

STN1NK60Z, Транзистор полевой (N-канал 600В 0, 25А 15Ом SOT-223-4)

В избранное

В избранное 2-4 Дня В избранное

Vishay

SI2302CDS-T1-E3, Транзистор полевой SMD (N-канал 20В 2, 6А SOT23)

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное

Vishay

IRFPS40N50LPBF, Транзистор полевой (N-канал 500В 40А Super247)

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное

Infineon Technologies

IRFZ44VPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 55 А, 115 Вт, 0.0165 Ом

В избранное

В избранное 7-9 дней В избранное

IRFZ44N — полевой МОП-транзистор из кремния. Элемент имеет очень низкий показатель сопротивления в активном состоянии и обладает высокой скоростью переключения, что позволяет эффективно использовать его для низковольтных коммутационных систем с необходимостью высокоскоростного переключения, например в блоках питания и различных преобразователях. Выпускается в корпусах TO-220AB, TO-220FP.

Содержание

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

  • Рабочая температура 175 °C.
  • Быстрое переключение.
  • Сверхнизкое сопротивление при включении.
  • Динамическая характеристика переключения (dv/dt).
  • Без использования свинца.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика Обозначение Величина
Постоянный ток утечки ID 49 А
Импульсный ток утечки IDM 160
Мощность рассеивания PD 94 Вт
Коэффициент линейного снижения мощности 0.63 Вт/°C
Напряжение насыщения затвор-исток VGS ± 20 В
Максимальный прерываемый ток IAR 25 А
Максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке EAR 9.4 мДж
Предельная скорость нарастания напряжения на стоке dv/dt 5 В/нс
Безопасный температурный диапазон TJ -55… + 175 °C
Допустимая температура при пайке 300 °C
Максимальный момент затяжки при креплении элемента 1.1 Нм

Типовые термические параметры

Характеристика Обозначение Максимальная величина
Теплопередача от кристалла к корпусу Rjc 1.5 °C/Вт
Теплопередача от корпуса к радиатору Rcs 0.5 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к окружающей среде Rja 62 °C/Вт

Электрические параметры

Характеристика Обозначение Величина
Напряжение сток-исток V(BR)DSS 55 В
Температурный коэффициент напряжения пробоя ∆V(BR)DSS/∆TJ 0.058 В/°C
Сопротивление между стоком и истоком при открытом канале RDS(on) 17.5 mΩ
Минимальное напряжение необходимое для включения транзистора VGS(th) От 2 до 4 В
Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затворе gfs 19 А/В
Ток утечки стока IDSS От 25 до 250 мкА
Ток утечки затвора IGSS От -100 до 100 нА
Заряд для затвора необходимый для открытия транзистора Qg 63 нКл
Заряд емкости затвор-исток Qgs 14 нКл
Емкость Миллера Qgd 23 нКл
Время необходимое для открытия транзистора td(on) 12 нс
Время нарастания импульса для открытия (передний фронт) tr 60 нс
Время необходимое для закрытия транзистора td(off) 44 нс
Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт) tf 45 нс
Значение индуктивности стока LD 4.5 нГн
Значение индуктивности истока LS 7.5 нГн
Входная емкость Ciss 1470 пФ
Выходная емкость Coss 360 пФ
Емкость затвор-сток Crss 88 пФ
Максимальная энергия одного импульса на стоке EAS 150 мДж

Маркировка

Полное название полевой МОП–транзистор IRFZ44N, где:

  • IR – данный элемент впервые был выпущен на заводе компании International Rectifier (IR);
  • F – тип МОП-транзистора, в данном случае F – это транзистор со стандартным уровнем напряжения открытия затвора;
  • Z –тип корпуса ТО-220;
  • 44 – N-канальный транзистор.

Транзисторы IRFZ44N изготавливаются без использования свинца. Иногда, в конце названия можно увидеть маркировку PbF – это расшифровывается, как «plumbum free», то ест «без свинца».

Аналоги

Для транзисторов IRFZ44N нет аналогов, с полностью идентичными характеристиками. При этом имеется ряд транзисторов, которые своими характеристиками лишь немного отличаются от IRFZ44N.

Тип Id, А Vdss, В VGS(th), В VGS, В RDS(on), Ом Tj °C
IRFZ44N 49 55 2-4 20 0.0175 175
Зарубежное производство
IRFZ44E 48 60 4 10 0.023 150
IRFZ45 35 60 2-4 20 0.035 150
IRFZ46N 46 55 2-4 10 0.02 150
STP45NF06 38 60 4 20 0.028 175
HUF75329P3 49 55 4 20 0.024 150
IRF3205 98 55 2-4 10 0.008 150
BUZ102 42 50 4 20 0.023 175
Отечественное производство
КП723 50 60 2-4 20 0.028 150
КП812А1 50 60 2-4 20 0.028 150

При этом стоит отметить, что рабочая температура у многих зарубежных и отечественных аналогов транзистора немного меньше оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

Графические данные характеристик

Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.

Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.

Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.

Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.

Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.

Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.

Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.

image

Выгодно

Аналоги MOSFET на 30% дешевле

Быстро

Адекватный срок производства

Качественно

Технические характеристики соответствуют популярным массовым продуктам

Примеры аналогов

Оригинал Аналог
IRFZ44ZS CEB6086L
IPA60R180P7, STP20NM60FP CEF20N65SA
RF7104, IRF7304, IRF7314 CEM2407
IRF7313 CEM3258
IRF7103 CEM6428
IRF7342 CEM6867
IRF7309, IRF7319, AO4606, DMC3032 CEM8968

image

Оставьте заявку и наши инженеры

подберут для Вас оптимальную альтернативу МОП-транзистору, который вы применяете

История производителя CET-MOS начинается с 1984-го года, и на сегодняшний день портфолио состоит из MOSFET с напряжениями сток-исток в диапазоне от -200В до +1000 В, током сток-исток до 300А в различных корпусах, начиная с DFN2x2 размером 2х2 мм, заканчивая TO-3P и TO-247. В планах развития компании на ближайшие три года начало выпуска IGBT и приборов на базе карбида кремния и нитрида галлия. Среди потребителей продукции CET-MOS такие компании как Xiaomi, Eaton, Lenovo, TP-Link и многие другие. Немаловажным преимуществом CET-MOS сегодня является адекватный срок производства. Подробнее https://gcmatrix.com/articles/cet-mos/

О производителе

Сферы применения
Телеком
Потребительская электроника
Промэлектроника
Системы безопасности
Силовая электроника
Автоэлектрика

Заявка на подбор аналога MOSFET

Остались вопросы? Перезвоним в ближайшее время!

Нажимая кнопку “Отправить”, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности и подтверждаете отправку данных.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
А как считаете Вы?
Напишите в комментариях, что вы думаете – согласны
ли со статьей или есть что добавить?
Добавить комментарий