Материалы по импулсным блокам / Транзистор 13001

MJE13009 – Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.

Отечественный аналог MJE13009

  • КТ8260А, КТ8209А

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009

image

  • пластмассовый корпус TO-220С

№1 – База

№2 – Коллектор

№3 – Эмиттер

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):

  • 700 V

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):

  • 400 V

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):

  • 9 V

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):

  • 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):

  • 24 А

Ток эмиттера (IE):

  • 18 А

Импульсный ток эмиттера (IEM):

  • 36 А

Ток базы (IB):

  • 6 А

Импульсный ток базы (IBM):

  • 12 А

Общая рассеиваемая мощность (PD):

  • 100 W

Максимально допустимая температура перехода (Tj):

  • 150° C

Температура хранения (Tstg):

  • -65~150° C

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Тj=25oС если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))

  • 400 V при IC = 10 mA, IB = 0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))

  • 1 V при IC = 5 A, IB = 1 A
  • 1.5 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
  • 3 V при IC = 12 A, IB = 3 A

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE(sat))

  • 1.2 V при IC = 5 A, IB = 1 A
  • 1.6 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A

Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)

  • 1 mA при VEB = 9 V

Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 5 V:

  • 8 – 40 при IC = 5 A
  • 6 – 30 при IC = 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)

  • 4 MHz при IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1MHz

Опубликовано 11.02.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |image 500 предложений от интернет-магазинов КурскДоставка, Склад Транзистор NEC A1742 (2SA1742)” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata/58/44/5844f22d2519539f15387b6560660c9c.webp”> Тип: Активные компоненты, Вес: 2, Размеры, мм: 29x10x4.5 Транзистор NEC A1742 (2SA1742) 790 790 В МАГАЗИН Ozon.ru (Электроника) КурскДоставка, Склад Транзистор однопереходный 40В 0,15A 0,35 Вт, набор 4 шт.” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/5f/d8/5fd85e3e4bc5bc072122d3a9a72a5363.webp”> Тип: Активные компоненты, Вес: 10, Название модели: Транзистор однопереходный 40В 2N6027G, Транзистор однопереходный 40В 0,15A 0,35 Вт, набор 4 шт. 340 340 В МАГАЗИН Ozon.ru (Электроника) КурскДоставка, Склад транзисторов 200 шт (10 видов по 20 шт)” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/57/6a/576a465ddaab34a12547434ad1429fb7.webp”> Тип: Активные компоненты, Вес: 100, Название модели: Набор транзисторов 200 шт (10 видов по 20 шт) Набор транзисторов 200 шт (10 видов по 20 шт) 990 990 В МАГАЗИН Ozon.ru (Электроника) КурскДоставка APL3510B VM81Y 240 В МАГАЗИН КупиДеталь КурскДоставка APL3510BXI-TRG 192 В МАГАЗИН КупиДеталь КурскДоставка транзистор” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata/fe/01/fe0162810a5631235d6a48ed395adda2.webp”> X1300 транзистор 10 В МАГАЗИН КупиДеталь КурскДоставка AP8263 DIP-8 SOT23-6 86 В МАГАЗИН КупиДеталь КурскДоставка транзистор полевой Hitachi 2SJ79″ src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/53/ba/53baacd9b4cf0654057f89daae65f1ad.webp”> Тип: транзистор полевой, Партномер: 2SJ79 транзистор полевой Hitachi 2SJ79 120 В МАГАЗИН PartsDirect.ru КурскДоставка транзистор TO-220F [2SK2651]” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/c8/82/c8829c5160115cd897d708a8088934d7.webp”> N-канальный транзистор TO-220F [2SK2651] 100 В МАГАЗИН “Смарт” КурскДоставка транзистор – FAIRCHILD FDS6679″ src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/4b/1b/4b1b077155fa560fba692aa8ec9591c2.webp”> P-канальный транзистор – FAIRCHILD FDS6679 100 В МАГАЗИН “Смарт” КурскДоставка Транзистор N-канальный AOE6936″ src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/de/6b/de6ba39a5ee404cd68fee5404f3f1f62.webp”> Транзистор N-канальный AOE6936 150 В МАГАЗИН “Смарт” КурскДоставка Транзистор AON7934″ src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/a4/77/a477d37accddf8cd5637f9b5c99f5920.webp”> Транзистор AON7934 100 В МАГАЗИН “Смарт” КурскДоставка Транзистор полевой [AO4407A]” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata2/c8/2e/c82eb8178600c99a4aaaf939c6649448.webp”> Транзистор полевой [AO4407A] 200 В МАГАЗИН “Смарт” КурскДоставка Транзистор 2N3904 NPN 40В 0.2А 0.35Вт” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata/85/c4/85c47366e3fbf460f6f873484221ebe2.webp”> Транзистор 2N3904 NPN 40В 0.2А 0.35Вт 3 В МАГАЗИН Интернет-магазин светодиодного освещения sestek.ru КурскДоставка Транзистор S8550 PNP 25В 0.5А 150МГц” src=”https://static.regmarkets.ru/listpreview/idata/5a/b1/5ab1c4fd6a45790d881527dbf9d4dcd5.webp”> Транзистор S8550 PNP 25В 0.5А 150МГц 3 В МАГАЗИН Интернет-магазин светодиодного освещения sestek.ru

2 страница из 18

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п. Внимание!

При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Читайте также:  Какие бывают кабеля для Зарядки, чем отличаются

Цоколевка

Транзисторы в корпусе ТО-92 у разных производителей отличатся по порядковому номеру вывода. Самая распространённая цоколевка выводов 13001 такая: 1 -база Б (B), 2 — коллектор К (C),3 – эмиттер Э (E). У известного производителя TSMC, с аналогичной маркировкой на корпусе, номера ножек 1–Э (E), 2-К (C), 3-Б (B), а у транзисторов с маркировкой mje 3–Э (E), 2-К (C), 1-Б (B).

Так выглядит распиновка 13001-SOT-23 (производитель YFWDIODE)

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы. У MJE13001A — от 10 до 15. У MJE13001B — от 15 до 20. У MJE13001C — от 20 до 25. У MJE13001D — от 25 до 30. У MJE13001E — от 30 до 35. У MJE13001F — от 35 до 40. У MJE13001G — от 40 до 45. У MJE13001H — от 45 до 50. У MJE13001I — от 50 до 55. У MJE13001J — от 55 до 60. У MJE13001K — от 60 до 65. У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов. Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия

в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.

Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.

Читайте также:  Что такое импульсный диод? Импульсные блоки питания

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы У MJE13003A — от 8 до 12. У MJE13003B — от 12 до 18. У MJE13003C — от 18 до 27. У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO-126 — 1.4 ватт, TO-220 — 50 ватт(с радиатором), TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором), TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока4 МГц.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Схема «зарядки» для телефона.

Читайте также:  Печатная плата электроники – инструкция изготовления

R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Будьте внимательны ! Цоколевка транзисторов 13001, TS13001, MJE13001 разная.

Усилитель на транзисторах 13002

Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.

Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Читайте также:  D-триггер: принцип работы, таблица истинности

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Безопасность в использовании

Не допускайте повышения напряжения в цепи К-Э более 500 В и коллекторного тока более 200 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте перегрева более +150 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 миллиметров от корпуса устройства, не более 2-3 секунд на каждый электрод. Предельная температура пайки не должна быть больше +250 °С.

Производители

DGNJDZ (Nanjing International Group);

Semtech Electronics Ltd.;

YFWDIODE (Dongguan you feng wei electronics).

>Каталог>Транзисторы, диоды и т.д.>Транзисторы импортные> 13009 (L) TO3P, to-247 (MJE, KSE, STW, FJP) транзистор Каталог деталей

    text (3,78 Мб)
    html (6,72 Мб)
    exel (8,67 Мб)

    Скачать datasheet:–> –> –> –>

    Наименование: 13009 (L) TO3P, to-247 (MJE, KSE, STW, FJP) транзистор Наличие 49шт. Цена:130 руб. Норма отпуска 1 Дата выдачи на Митино: Дата передачи в службу доставки: Тип: Транзисторы импортные Посмотреть оптовые цены и скидки

    Описание

    Биполярный транзистор, характеристики 700/400V, 12A, 130W — Тип корпуса: —– корпус to-247 ————> –> –> –> –>

    Характеристики

    Минимальная цена FJA13009TU на данный момент составляет 41.83 руб. Стоимость позиции зависит от количества заказываемых электронных компонентов. Минимально можно купить FJA13009TU от шт.

    Возможно искали
    Мы рекомендуем
    • image FJP13009TU ON SEMICONDUCTOR – FJP13009H2TU – Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 МГц, 100 Вт, 12 А, 8 hFE Fairchild Semiconductor
    «ЭИК» – Cамый большой в России ассортимент электронных компонентов image

    Ассортимент

    Всегда в наличии более 100 000 наименований электронных компонентов image

    Сертификаты

    Система управления качеством по стандарту ИСО 9001:2008 image

    Доставка

    Экспресс доставка электронных компонентов из США, Азии и Европы от 5 дней image

    Эффективность

    Быстрый ответ на ваши запросы, снизим затраты вашей компании на закупки электронных компонентов

    Оцените статью
    Рейтинг автора
    5
    Материал подготовил
    Илья Коршунов
    Наш эксперт
    Написано статей
    134
    А как считаете Вы?
    Напишите в комментариях, что вы думаете – согласны
    ли со статьей или есть что добавить?
    Добавить комментарий