Мощные транзисторы для усилителей мощности и передатчиков Microsemi

Из всех классификационных факторов на практике наиболее часто используют классификацию по максимально допустимой мощности рассеивания и граничной частоте. В зависимости от максимально допустимой мощности рассеивания биполярные транзисторы могут быть: малой мощности (Рмакс < 0,3 Вт), средней мощности (0,3 < Рмакс < 1,5 Вт) и большой мощности (Рмакс > 1,5 Вт). Транзисторы, имеющие граничную частоту /нр < 3 МГц, относятся к низкочастотным, при 3 МГц < /гр <</p>

< 30 МГц — к транзисторам средней частоты, при 30 МГц <</p>

< /гр < 300 МГц — к высокочастотным, при /рр > 300 МГц — к сверхвысокочастотным (СВЧ-транзисторам).

Низкочастотные и высокочастотные транзисторы имеют чаще всего эпитаксиально-планарную или планарную кремниевую структуру л—р—я-типа. Они отличаются тем, что высокочастотные транзисторы имеют меньшие площади переходов, меньшие толщины базы и коллектора и времена жизни неосновных носителей. В силу сказанного, для низкочастотных (НЧ) транзисторов характерны емкости переходов 10..Л00 пФ, а для высокочастотных (ВЧ) емкость не превышает 10 пФ, для НЧ транзисторов ВЈрпс > 1 мкс, а для ВЧ *рас <0,1 мкс.</p>

Наибольшие структурные и конструктивные особенности присущи СВЧ-транзисторам. Для увеличения граничной частоты необходимо уменьшать время пролета носителей от эмиттера до коллектора и емкости транзистора. Чтобы снизить это время, СВЧ-транзисторы изготавливаются на основе п—р—я-структуры, поскольку подвижность электронов в кремнии в три раза больше, чем подвижность дырок, и, кроме того, базу делают по возможности тонкой.

Современный уровень технологии позволяет изготавливать базу толщиной менее 0,1 мкм. Однако при этом сопротивление базы с уменьшением толщины увеличивается, что приводит к снижению величины рабочих напряжений и, следовательно, мощности. Для уменьшения влияния указанных негативных явлений увеличивают концентрацию примесных атомов в базе, но при этом возрастают емкости переходов, которые можно снизить за счет минимизации размеров областей и других элементов транзистора, включая выводы. В результате барьерные емкости переходов транзистора очень малы, поэтому на граничную частоту влияют паразитные емкости и индуктивности выводов, для уменьшения которых корпуса транзисторов изготавливают с плоскими выводами и, кроме того, часто используют бескорпусные транзисторы. Структура СВЧ-транзистора обычно содержит несколько базовых и эмиттерных областей и соответствующих слоев.

Целым рядом преимуществ по сравнению с кремниевыми СВЧ-транзисторами обладают транзисторы на основе ваАв с гетеропереходами, транзисторы на горячих электронах, особенно транзисторы с металлической базой и транзисторы с проницаемой базой.

Коротко рассмотрим особенности перечисленных приборов. Транзистор с гетеропереходом имеет широкозонный эмиттер л-ти- па из А1д.Са1 _ ^Ав, базу р-типа из ОаАя и коллектор л-типа из ОаАэ. Характерной особенностью гетеропереходов, которые образованы полупроводниками с различной шириной запрещен

ной зоны, является наличие потенциальных скачков (барьеров) как в зоне проводимости, так и в валентной зоне (см. п. 2.7). В результате транзисторы с гетеропереходами имеют следующие преимущества:

  • 1) высокую эффективность эмиттера из-за крайне малой инжекции дырок из базы в эмиттер, чему препятствует высокий потенциальный барьер в валентной зоне;
  • 2) малое сопротивление базы из-за ее сильного легирования без снижения эффективности эмиттера, что также связано с наличием высоких потенциальных барьеров в области эмиттерного перехода;
  • 3) лучшую переходную характеристику по сравнению с обычным транзистором из-за высокого коэффициента усиления по току и низкого сопротивления базы;
  • 4) возможность работы при повышенных температурах вплоть до Т° ~ 350 °С. В настоящее время разработаны транзисторы с параметром (1 ~ 350, с граничной частотой, превышающей 10 ГГц.

Одними из перспективных в СВЧ-диапазоне являются транзисторы на горячих электронах. Горячими называют электроны, энергия которых превышает энергию Ферми на несколько /гТ (/г = 1,38* 10 2;1Дж/К— постоянная Больцмана, Т— температура решетки в градусах К). Горячие, иначе, быстрые электроны, формируются за счет создания больших потенциалов, ускоряющих электроны на границе между соседними областями транзистора. Было предложено и исследовано достаточно много трехэлектродных структур, подобных биполярным транзисторам, с переносом горячих электронов от эмиттера к коллектору. Основное отличие этих приборов от чисто полупроводниковых классических транзисторов заключается в способе инжекции электронов в базу. Наилучшими СВЧ-характеристиками обладает транзистор с металлической базой и структурой типа Б1— Аи—Ое, т. е. структура полупроводник—металл—полупроводник, при этом толщина золотой пленки между двумя полупроводниками составляет несколько десятков ангстрем (сотые доли микрона и меньше).

Применение таких современных перспективных технологий, как молекулярно-лучевая эпитаксия, выращивание монокристаллических металлических пленок на полупроводниках, ультрафиолетовая и рентгеновская литография, работа при низких температурах, позволяет добиться хороших СВЧ-характеристик и высоких коэффициентов усиления по току в транзисторах с металлической базой.

Дальнейшим развитием подобного направления является разработка транзисторов с проницаемой базой, в которых металлическая пленка заменена металлической вольфрамовой сеткой с периодом порядка 0,3 мкм. Такой транзистор имеет четырехслойную структуру, включающую подложку из ОаА.ч /г*-типа, слой эмиттера из ОаАя /гтипа, фигурную вольфрамовую сетку, толщиной 0,02 мкм с шириной полоски 0,16 мкм и слой коллектора п — ОаАв. Вольфрамовая сетка образует с п — СаАв барьер Шоттки высотой 0,8 В. При подаче на сетку отрицательного потенциала электроны из эмиттера при их движении к коллектору должны пройти в окрестности металлической сетки через область с отрицательным потенциалом. Посередине между металлическими полосками барьер наиболее низкий, а около границы металл — полупроводник барьер будет наиболее высоким. Этот барьер будет препятствовать проходу электронов через сетку. В результате только небольшая доля электронов преодолевает поле сетки, и в цепи коллектора протекает ток с малой плотностью (единицы А/см2). Если на базу подать положительное смещение, барьер снизится, и плотность коллекторного тока может достигать значений ~ 103 А/см2. При больших положительных смещениях на базе (сетке) будет накапливаться отрицательный заряд электронов, что приведет к ограничению тока. В этих транзисторах можно получить высокие плотности управляемых токов и, как следствие, большую крутизну и высокую граничную частоту, до нескольких десятков ГГц, а в перспективе до сотни ГГц, при относительно больших значениях коэффициентов усиления (15…20 дБ).

Мощные транзисторы. При разработке мощных транзисторов приходится решать дополнительно ряд специфических проблем, которые вызваны большими напряжениями и токами коллектора. Поэтому конструкция мощного транзистора должна обеспечивать эффективный отвод рассеиваемой в нем тепловой энергии. Перегрев активных частей транзистора большой мощности при значительных размерах применяемых полупроводниковых кристаллов вызывает необходимость учета механических напряжений из-за различия температурных коэффициентов линейного расширения полупроводника и других элементов конструкции. Помимо всего, мощные транзисторы должны быть достаточно быстродействующими.

Для обеспечения большого рабочего тока в мощных транзисторах необходимо изготавливать эмиттер как можно больших размеров, причем сложной конфигурации. Поэтому обычно применяют многоэмиттерные транзисторы, содержащие большое число узких эмиттерных полосок, между которыми располагаются выводы базы. Как эмиттеры, так и отдельные базовые выводы объединяются общими выводами. Число отдельных эмиттерных полосок может быть до нескольких десятков. Площадь каждой эмиттерной полоски обычно значительно больше, чем эмиттера маломощного транзистора. Предельная ширина эмиттерной полоски ограничена эффектами вытеснения тока эмиттера на края перехода, поэтому существуют оптимальные размеры ширины полоски, которые лежат в пределах 10…20 мкм. Длина полоски ограничивается падением напряжения на ней и составляет 100…200 мкм. Последовательное включение с каждым эмиттером стабилизирующих резисторов позволяет выравнивать токи отдельных эмиттеров.

Большая часть мощных транзисторов рассчитана на работу при относительно низких напряжениях в 20…30 В, поскольку в этом случае облегчается тепловой режим. Хороший теплоотвод в мощных транзисторах достигается за счет установки полупроводникового кристалла на массивном металлическом основании корпуса часто совместно со специальным радиатором. Для уменьшения барьерной емкости и теплового сопротивления коллектора используют многоструктурные транзисторы, собранные на одном кристалле в виде матрицы отдельно параллельно соединенных транзисторов. За счет увеличения расстояния между отдельными транзисторами обеспечивается нужное тепловое сопротивление без увеличения емкости коллекторного перехода.

Домой Радиоэлектроника Виды транзисторов и область их применения. Общие сведения.

Здравствуйте, дорогие читатели. В данной статье рассмотрим виды транзисторов и область их применения. И так…

Транзистор, это радиоэлектронный компонент из полупроводникового  материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи. Это позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

image

   Виды транзисторов

О том что такое транзистор, читайте в статье «Что означает слово транзистор? Назначение и устройство.» Здесь лишь отметим, в большинстве применений транзисторы заменили собой вакуумные лампы, свершилась настоящая кремниевая революция в создании интегральных микросхем. Так, сегодня в аналоговой технике чаще используют биполярные транзисторы, а в цифровой технике — преимущественно полевые.

Устройство и принцип действия полевых и биполярных транзисторов — это так же темы отдельных статей, поэтому останавливаться на данных тонкостях не будем, а рассмотрим предмет с чисто практической точки зрения на конкретных примерах.

Полевые и биполярные транзисторы

По технологии изготовления транзисторы подразделяются на два типа: полевые и биполярные. Биполярные в свою очередь делятся по проводимости на n-p-n – транзисторы обратной проводимости, и p-n-p – транзисторы прямой проводимости. Полевые транзисторы бывают, соответственно, с каналом n-типа и p-типа. Затвор полевого транзистора может быть изолированным (IGBT-транзисторы) или в виде p-n-перехода. IGBT-транзисторы бывают со встроенным каналом или с индуцированным каналом.

image

   Виды транзисторов, p–n–p и n–p–n проводимость

Области применения транзисторов определяются их характеристиками, а работать транзисторы могут в двух режимах: в ключевом или в усилительном. В первом случае транзистор в процессе работы или полностью открыт или полностью закрыт, что позволяет управлять питанием значительных нагрузок, используя малый ток для управления. А в усилительном, или по-другому — в динамическом режиме, используется свойство транзистора изменять выходной сигнал при малом изменении входного, управляющего сигнала. Далее рассмотрим примеры различных транзисторов.

2N3055 – биполярный n-p-n-транзистор в корпусе ТО-3

Популярен в качестве элемента выходных каскадов высококачественных звуковых усилителей, где он работает в динамическом режиме. Как правило, используется совместно с комплементарным p-n-p собратом MJ2955. Данный транзистор может работать и в ключевом режиме, например в трансформаторных НЧ инверторах 12 на 220 вольт 50 Гц, пара 2n3055 управляет двухтактным преобразователем.

Примечательно, что напряжение коллектор-эмиттер для данного транзистора в процессе работы может достигать 70 вольт, а ток 15 ампер. Корпус ТО-3 позволяет удобно закрепить его на радиатор в случае необходимости. Статический коэффициент передачи тока — от 15 до 70, этого достаточно для эффективного управления даже мощными нагрузками, при том, что база транзистора выдерживает ток до 7 ампер. Данный транзистор может работать на частотах до 3 МГц.

КТ315 — легенда среди отечественных биполярных транзисторов малой мощности

Данный транзистор n-p-n – типа впервые увидел свет 1967 году, и по сей день пользуется популярностью в радиолюбительской среде. Комплементарной парой к нему является КТ361. Идеален для динамических и ключевых режимов в схемах малой мощности.

При максимально допустимом напряжении коллектор-эмиттер 60 вольт, этот высокочастотный транзистор способен пропускать через себя ток до 100 мА, а граничная частота у него не менее 250 МГц. Коэффициент передачи тока достигает 350, при том, что ток базы ограничен 50 мА.

Изначально транзистор выпускался только в пластмассовом корпусе KT-13, 7 мм в ширину и 6 мм высотой, но в последнее время можно его встретить и в корпусе ТО-92.

КП501 — полевой n-канальный транзистор малой мощности с изолированным затвором

Имеет обогащенный n-канал, сопротивление которого составляет от 10 до 15 Ом, в зависимости от модификации (А,Б,В). Предназначен данный транзистор, как его позиционирует производитель, для использования в аппаратуре связи, в телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре.

Этот транзистор можно назвать сигнальным. Небольшой корпус ТО-92, максимальное напряжение сток-исток — до 240 вольт, максимальный ток стока — до 180 мА. Емкость затвора менее 100 пф. Особенно примечательно то, что пороговое напряжение затвора составляет от 1 до 3 вольт, что позволяет реализовать управление с очень-очень малыми затратами. Идеален в качестве преобразователя уровней сигналов.

irf3205 – n-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии HEXFET

Популярен в качестве силового ключа для повышающих высокочастотных инверторов, например автомобильных. Посредством параллельного включения нескольких корпусов представляется возможность построения преобразователей, рассчитанных на значительные токи.

Максимальный ток для одного такого транзистора достигает 75А (ограничение вносит конструкция корпуса ТО-220), а максимальное напряжение сток-исток составляет 55 вольт. Сопротивление канала при этом всего 8 мОм. Емкость затвора в 3250 пф требует применения мощного драйвера для управления на высоких частотах, но сегодня это не является проблемой.

FGA25N120ANTD мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT-транзистор)

Способен выдержать напряжение сток-исток 1200 вольт, максимальный ток стока составляет 50 ампер. Особенность изготовления современных IGBT-транзисторов такого уровня позволяет отнести их к классу высоковольтных.

Область применения — силовые преобразователи инверторного типа, такие как индукционные нагреватели, сварочные аппараты и другие высокочастотные преобразователи, рассчитанные на питание высоким напряжением. Идеален для мощных мостовых и полумостовых резонансных преобразователей, а также для работы в условиях жесткого переключения, имеется встроенный высокоскоростной диод.

Рекомендации по эксплуатации транзисторов

Значения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима работы и температуры, причем с увеличением температуры параметры транзисторов могут меняться. В справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п.

Для обеспечения надежной работы транзисторов необходимо принимать меры, исключающие длительные электрические нагрузки, близкие к предельно допустимым. Например заменять транзистор на аналогичный но меньшей мощности не стоит, это касается не только мощностей, но и других параметров транзистора. В некоторых случаях для увеличения мощности транзисторы можно включать параллельно, когда эмиттер соединяется с эмиттером, коллектор с коллектором и база – с базой. Перегрузки могут быть вызваны разными причинами, например от перенапряжения, для защиты от перенапряжения часто применяют быстродействующие диоды.

Что касается нагрева и перегрева транзисторов, температурный режим транзисторов не только оказывает влияние на значение параметров, но и определяет надежность их эксплуатации. Следует стремиться к тому, чтобы транзистор при работе не перегревался, в выходных каскадах усилителей транзисторы обязательно нужно ставить на большие радиаторы. Защиту транзисторов от перегрева нужно обеспечивать не только во время эксплуатации, но и во время пайки. При лужении и пайке следует принимать меры, исключающие перегрев транзистора, транзисторы во время пайки желательно держать пинцетом, для защиты от перегрева.

Мы рассмотрели здесь только несколько видов транзисторов, и это лишь мизерная часть из обилия моделей электронных компонентов, представленных на рынке сегодня.

Так или иначе, вы с легкостью сможете подобрать подходящий транзистор для своих целей. Документация на них доступна сегодня в сети в виде даташитов, в которых исчерпывающе представлены все характеристики. Типы корпусов современных транзисторов различны, и для одной и той же модели зачастую доступны как SMD исполнение, так и выводное.

Видео, виды транзисторов

Будем рады, если подпишетесь на наш Блог!

[wysija_form id=»1″]

Главная Транзисторы Cодержание драгметаллов в транзисторе П210Ш В большинстве справочников сведения про содержание драгметаллов в транзисторе П210Ш говорится о наличие Транзисторы Характеристики транзистора IRFP460 Характеристики транзистора IRFP460 сочетают в себе технологии третьего поколения HEXFET известной во Транзисторы Cодержание драгметаллов в транзисторе П214А В советское время содержание драгметаллов (ДГМ) в П214А приводилось в этикетках или паспортах на изделие. Транзисторы Характеристики транзистора КТ818Г Технические характеристики КТ818Г позволяют говорить о нём, как о мощном биполярном транзисторе. Транзисторы Cодержание драгметаллов в транзисторе П210Б Информации о содержание драгметаллов (ДГМ) в транзисторах П210Б в справочной литературе на данную тему немного.

Особенности и области применения составных транзисторов

Если открыть любую книгу по электронной технике, сразу видно как много элементов названы по именам их создателей: диод Шоттки, диод Зенера (он же стабилитрон), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.

Инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington) экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них. В схемах использовались усилители тока.

Инженер Дарлингтон изобрёл и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненный на одном кристалле кремния с диффундированными n (негатив) и p (позитив) переходами. Новый полупроводниковый прибор был назван его именем.

В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называют составным. Итак, давайте познакомимся с ним поближе!

Устройство составного транзистора.

Как уже говорилось, это два или более транзисторов, изготовленных на одном полупроводниковом кристалле и запакованные в один общий корпус. Там же находится нагрузочный резистор в цепи эмиттера первого транзистора.

У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у всем знакомого биполярного: база (Base), эмиттер (Emitter) и коллектор (Collector).

Схема Дарлингтона

Как видим, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности в его составе может быть и более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что в высоковольтной электронике также применяется транзистор, состоящий из биполярного и полевого. Это IGBT транзистор. Его также можно причислить к составным, гибридным полупроводниковым приборам.

Основные особенности транзистора Дарлингтона.

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

  • Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

  • Напряжение эмиттер – база 5 V;

  • Ток коллектора – 15 А;

  • Ток коллектора максимальный – 30 А;

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Примеры применения составного транзистора.

Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем с помощью транзистора Дарлингтона.

При подаче на базу первого транзистора тока порядка 1мА через его коллектор потечёт ток уже в 1000 раз больше, то есть 1000мА. Получается, что несложная схема обладает приличным коэффициентом усиления. Вместо двигателя можно подключить электрическую лампочку или реле, с помощью которого можно коммутировать мощные нагрузки.

Если вместо сборки Дарлингтона использовать сборку Шиклаи то нагрузка подключается в цепь эмиттера второго транзистора и соединяется не с плюсом, а с минусом питания.

Если совместить транзистор Дарлингтона и сборку Шиклаи, то получится двухтактный усилитель тока. Двухтактным он называется потому, что в конкретный момент времени открытым может быть только один из двух транзисторов, верхний или нижний. Данная схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение будет обратно входному.

Это не всегда удобно и поэтому на входе двухтактного усилителя тока добавляют ещё один инвертор. В этом случае выходной сигнал в точности повторяет сигнал на входе.

Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.

Широко используются интегральные микросхемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одной из самых распространённых является интегральная сборка L293D. Её частенько применяют в своих самоделках любители робототехники. Микросхема L293D — это четыре усилителя тока в общем корпусе. Поскольку в рассмотренном выше двухтактном усилителе всегда открыт только один транзистор, то выход усилителя поочерёдно подключается или к плюсу или к минусу источника питания. Это зависит от величины входного напряжения. По сути дела мы имеем электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.

Вот «кусочек» схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятого из её даташита (справочного листа).

Как видим, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклаи. Верхняя часть схемы — это составной транзистор по схеме Шиклаи, а нижняя часть выполнена по схеме Дарлингтона.

Многие помнят те времена, когда вместо DVD-плееров были видеомагнитофоны. И с помощью микросхемы L293 осуществлялось управление двумя электродвигателями видеомагнитофона, причём в полнофункциональном режиме. У каждого двигателя можно было управлять не только направлением вращения, но подавая сигналы с ШИМ-контроллера можно было в больших пределах управлять скоростью вращения.

Весьма обширное применение получили и специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона. Примером может служить микросхема ULN2003A (аналог К1109КТ22). Эта интегральная схема является матрицей из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки можно легко применять в радиолюбительских схемах, например, радиоуправляемом реле. Об этом я поведал тут.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

  • Параметры транзисторов MOSFET.

  • Что такое супрессор?

image

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 2 мА и Uкэ 5В fгр (МГц) Корпус PDF Склад Заказ
BC847C 1GW n-p-n 45 В 100 мА 520 — 800 100 SOT 23
BC847B 1FW n-p-n 45 В 100 мА 200 — 450 100 SOT 23
BC857C 3GW p-n-p 45 В 100 мА 420 — 800 100 SOT 23
BC857B 3Ft p-n-p 45 В 100 мА 220 — 475 100 SOT 23
BC847BW 1F n-p-n 45 В 100 мА 220 — 475 100 SOT 323
BC847CW 1Gt n-p-n 45 В 100 мА 420 — 800 100 SOT 323
BC857BW 3F p-n-p 45 В 100 мА 220 — 475 100 SOT 323
BC857CW 3G p-n-p 45 В 100 мА 420 — 800 100 SOT 323
BC807- 40 5CW p-n-p 45 B 500 мА 250 — 600 100 SOT 23
BC817- 40 6СW n-p-n 45 В 500 мА 250 — 600 100 SOT 23
MMBT2222A T/R SOT23 M2A n-p-n 40 В 600 мА 75 — 300 300 SOT 23
MMBT3904LT1 1AM n-p-n 40 В 200 мА 100 — 300 100 SOT 23
MMBT3906LT1 2A p-n-p 40 В 200 мА 100 — 300 100 SOT 23
Цены в формате  .pdf,  .xls

Транзисторы высоковольтные

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 2 мА и Uкэ 5В fгр (МГц) Корпус PDF Склад Заказ
KST42 1D n-p-n 300 B 500 мА > 25 50 SOT 23
MMBTA42LT1 1D n-p-n 300 B 500 мА > 25 50 SOT 23
MMBTA92LT1 2D p-n-p 300 В 500 мА > 25 50 SOT 23
Цены в формате  .pdf,  .xls

Транзисторы средней мощности, аналоги SS8050 и SS8550

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 2 мА и Uкэ 5В fгр (МГц) Корпус PDF Склад Заказ
HE8550LD-AB3-R p-n-p 25 В 1500 мА 85 — 500 200 SOT 89
HE8050GD-AB3-R n-p-n 25 В 1500 мА 85 — 500 100 SOT 89
Цены в формате  .pdf,  .xls

Составной транзистор Дарлингтона с большим усилением по току

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 10 мА и Uкэ 3В fгр (МГц) Корпус Описание Склад Заказ
2SD2114K T146W BBW n-p-n 20 В 500 мА 1200 — 2700 350 SOT 23
Цены в формате  .pdf,  .xls

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 транзисторов.

Комплементарные пары NPN и PNP транзисторов

Транзистор NPN Транзистор PNP
BC847C BC857C
BC847B BC857B
BC847BW BC857BW
BC847CW BC857CW
BC817- 40 BC807- 40
MBT3904LT1 MBT3906LT1
HE8050GD-AB3-R HE8550LD-AB3-R

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
А как считаете Вы?
Напишите в комментариях, что вы думаете – согласны
ли со статьей или есть что добавить?
Добавить комментарий