Транзистор B1015A, используется для замены в блоках управления ECM экскаваторов и тяжелой техники 
Товар “На заказ” поставляется на основании договора оферты. ПодробнееДолжен быть оплачен на сумму не менее 50% от стоимости, срок поставки товара “на заказ” составляет до 20 рабочих дней. СкрытьДоставка курьером по Москве – 300 рублейДоставка курьером до 30км от МКАД — 500 рублейДоставка по России и СНГ — от 200 рублейСамовывоз — бесплатноОплата наличными или Картами Visa/MastercardПрием заказов +7 (495) 131-9820
Транзистор 2SA1015GR – биполярный структуры PNP кремниевый в трехвыводном корпусе типа ТО-92. Маркировка на корпусе: 2SA1015
| Общая информация | |
| Производитель | Changjiang Electronics Tech (CJ) |
| Part Number | 2SA1015GR |
| Product Specifications No | A1015 |
| Оригинал | Да |
| Год выпуска | 2020+ |
| Состояние | Новый |
| Тип упаковки | Запаянный пакет |
| Количество в упаковке | 1000 штук в одном пакете |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип корпуса | TO-92 |
| Технические параметры | |
| Условия эксплуатации | |
| Температура эксплуатации | -25…+65 °С |
| Максимальная влажность | 85% |
| Вес и габариты | |
| Вес изделия | 0.3 г |
| Расположение на складе | |
| В России | |
| В Китае |
Транзистор биполярный в корпусе SOT-23 с маркировкой BA
| Маркировка | BA |
| ft (MHz) | 80 |
| Vce (sat) (V) | 0.3 |
| hfe MAX | 400 |
| hfe MIN | 130 |
| BVebo (V) | 5 |
| BVceo (V) | 50 |
| BVcbo (V) | 50 |
| Ic (mA) | 150 |
| Pcm (mW) | 200 |
| Структура транзистора | PNP |
| Вид ремонта | Диагностика и замена SMD компонента |
| Страна | Китай |
| Гарантия | 2 недели |
| Марка | A1015 |
| Корпус | sot-23 |
Написать отзыв Рекомендуемые товары
- HF SMD NPN транзистор SOT-23 (C1815) 10 Р Наличие:
BA SMD PNP транзистор SOT-23 (A1015, 2SA1015) ba-sot-23 10 Р В корзину
Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 700 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 10 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 14,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 18,0 | — |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 8 | А |
| Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 11 | А | |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 70 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В | — | — | 200 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 100 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 10,0 А | 7 | 10 | 14 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 10,0 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 10,0 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,5 | В |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,2 | — | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Новые поступления 
Транзистор FGH60N60SFD 450.00 руб 
BN96-46115A (Плата T-CON для телевизора Samsung UE32N4000AU) 600.00 руб 
BN41-02582B (Плата MainBoard для телевизора Samsung UE32N4000AU) 2,500.00 руб 
Блок питания для телевизора Samsung UE32N4000AU (19V 3.17A) 700.00 руб 
L1_N5K_C2H_FAM_S5(1)_R1.0_S1D_100_LM41-00616A (Подсветка для телевизора Samsung UE32N4000AU) 500.00 руб 
BN96-35954K rev.00 (Шлейф T-con для телевизора Samsung UE32N4000AU) 300.00 руб 
715G5778-P02-000-002M (Блок питания для телевизора Philips 47PFL5038T/60) 1,200.00 руб 
715G5771-K01-000-004I (Плата кнопок для телевизора Philips 47PFL5038T/60) 300.00 руб 6870C-0444A (Плата T-CON для телевизора Philips 47PFL5038T/60) 650.00 руб EBR83592703 (Плата фотоприемника для телевизора LG 43UJ639V) 350.00 руб
ли со статьей или есть что добавить?